SRIM (Shanghai Research Institute of Materials) rozpoczyna prace badawczo-rozwojowe nad zastosowaniem polimerów przewodzących i wprowadza PPTC pierwszej generacji
1997
1997 Wayon zainwestował i utworzył Shanghai Sunon Telecommunication Protection Equipment co., Ltd.
2004
Zatwierdzony dostawca SGS i SANYO
WAYON zbudował nową fabrykę pod numerem 1001, Shiwan 7th Road w pobliżu międzynarodowego lotniska PVG
2006
2006 Wprowadzenie produktu ochrony półprzewodników
Wayon ultra-niskorezystancyjny pasek do akumulatora wprowadzony na rynek PPTC
2007
Changyuan Group (CYG) została większościowym udziałowcem (kod giełdowy: 600525)
Wayon połączył się z producentem PPTC: Shenzhen Goodpoly
2011
Zatwierdzony dostawca baterii do telefonów komórkowych z serii Apple na iPhone
Laboratorium CTDP UL zostało autoryzowane
2012
WAYON zaczął opracowywać produkty Super Junction (SJ) MOSFET
Nowa inwestycja CYG w rozbudowę fabryki WAYON, moce produkcyjne sięgają
1 miliard sztuk/rok
2015
Aktualny produkt wyłącznika krańcowego wprowadzony
Uruchomiono MOSFET drugiej generacji Super Junction z serii WM * C2
2017
Uruchomiono SJ-MOSFET z diodą Fast Body
Inwestycja w nowe urządzenia testowe TUV TMPL Lab i UL CTDP Lab oraz rozszerzenie laboratorium.
Prawa autorskie © 1996-2021 Wayon Electronics Co., Ltd. Wszelkie prawa zastrzeżone.