30V-250V SGT N Kanałowy MOSFET

MOSFET do rowów i kluczowe funkcje • Konstrukcja o wysokiej gęstości komórek •Idealny do zminiaturyzowanych opakowań • Wbudowana ochrona GS ESD •Zakres napięcia: 12V-200V MOSFET SGT i kluczowe funkcje • Technologia wykopów z zaawansowaną bramą osłono...

Wielokanałowy MOSFET MOSFET

MOSFET do rowów i kluczowe funkcje • Konstrukcja o wysokiej gęstości komórek •Idealny do zminiaturyzowanych opakowań • Wbudowana ochrona GS ESD •Zakres napięcia: 12V-200V MOSFET SGT i kluczowe funkcje • Technologia wykopów z zaawansowaną bramą osłono...

Wayon Super Junction MOSFET 600V

Opis WAYON opanowuje zarówno technologię Deep trench, jak i technologię superzłącza Multi-EPI MOSFET i ma bardzo obszerne portfolio produktów. Specyfikacje produktów MOSFET Super złącze obejmują 500 V-1200 V, 2A-99A. WAYON to pierwszy krajowy masowo ...

Dyskretne IGBT

MOSFET niskiego napięcia

MOSFET dużej mocy 650V

Wprowadzenie Wayon WMOSTM C2 to nowa, najnowocześniejsza technologia oparta na krzemie dla MOSFET wysokiego napięcia. Wykorzystując zaawansowaną zasadę superzłącza, technologia ta może znacznie zredukować RDS(on) na obszar w porównaniu z konwencjonal...

MOSFET wysokiego napięcia 700V

Wyon WMOS TM MOSFET serii EM Produkt poprawiający wydajność EMI z technologii super złączy Wayon Wprowadzenie Wyon WMOS TM EM zrównoważy szybkie przełączanie w połączeniu z wymaganiami „łatwości użytkowania”, aby umożliwić szybkie i łatwe projektowan...

MOSFET 800V

Wyon WMOS TM 2 znaleźć Pokolenie Technologia MOSFET serii 800V M33 Nowe produkty wypuszczone z zaawansowanej technologii super-złączy Wayon Wprowadzenie Telefon 800V WMOS TM M3 to nowa, najnowocześniejsza technologia na bazie krzemu, która charaktery...

MOSFET mocy > 900V

Moc MOSFET 900V, 950V, 1000V, 1050V, 1200V pociąg WMO TM 2 RD Technologia wytwarzania MOSFET mocy serii C2 Nowy produkt wydany z technologii super złącza Wayon Wstęp pociąg WMO TM C2 to nowa, najnowocześniejsza technologia oparta na krzemie do wys...

MOSFET z kanałem N 500 V i 550 V

SPOSÓB 3 r & D Technologia generacji Moc MOSFET serii C4 Wprowadzenie W oparciu o technologię superzłączy o bardzo wysokiej gęstości mocy, Wayon WMOSTM C4 znacznie poprawi parametry związane z przełączaniem (FOM) i wydajnością aplikacji. Ta technolog...